V bipolarnom zapojeni mas prehodeny kolektor a emitor.
Odpor do bazy mas moc maly. Ak budes mat betu napr. 100, najmensi prud, ktory na tranzistore nastavis bude 12V/1kohm * 100 = 1,2A, čo zodpoveda cca 10R (vykon cca 14W).
Doporucoval som Ti pouzit unipoolarny tranzistor, lebo ten ma na rozdiel od bipolarneho jednu dobru vlastnost. Zvysovanim teploty sa zvysuje otvaracie napatie. Bipolaru sa zvysovanim teploty znizuje napatie BE pre ten isty prud. Bipolar ma preto tendenciu “uvarit sa”. Preto sa pre bipolar pouziva mostikove zapojenie pre stabilizaciu prudu cez C. Aby si tuto nevyhodnu vlastnost eliminoval, musel by si dat este aky taky odpor do E tranzistora. Zyysovanim prudu sa na nom bude zysovat ubytok a tym sa bude tranzistor “privierat”.
FET je v tom to lepsi. Preto sa aj daju FETY radit paralelne. Ten co je najhorucejsi sa privrie a prenecha vykon svojim susedom. Samozrejme, regulacia R bude iba v nejakom rozsahu Ug, tak si podla toho musis nastavit potenciometer a odpory naokolo.
N-FET zapojis tak, ze S das na GND, medzi S a G riadiace napatie a medzi GND a D das vystup zdroja, ktory chces zatazovat.
Z toho co si namaloval nie je jasne, kam chces posielat tych 12V.
AK chces testovat 24V zdroj, tak GND zdroja spoj s S 24V zdroja spoj s D a medzi S a G si prived cez potenciometer riadiace napatie z nejakeho ineho pomocneho zdroja. Zvysovanim napatia medzi S a G budes tranzistor otvarat a 24V testovany zdroj tak viac zatazovat.
V kazdom pripade, to co si nakreslil mi okrem toho, ze je to nejake divme, mi nejako postrada zmysel.
No a ako testovaciu zataz by som nepouzival BF245. Treba si v katalogu pozriet i maximalne prudy a maximalnu teplotnu zataz. Ak si vyrabas testovaciu zataz, tak pouzi tranzistor/y v puzdre TO220 a daj ich na poriadny chladic. Napriklad tych 14W vie bez prislusneho chladenia celkom slusne popalit.
BF245 je JFET a nie MOSFET. S JFETmi nemam skusenosti, ale pokial viem bude tam ejaky problem pri prepolovani , lebo prechod je robeny cez zaporne polarizovany NP prechod. MOSFET ma korektne izolovane hradlo. No moc o tom neviem, len viem ze to nie je to jedno ci JFET alebo MOSFET. Hlavne neviem, ako je to pri JFETe s tou tepotnou zavislostou, teda cisa daju JFETy radit paralelne. Budem rad, ak tu niekto na to odpovie, aspon sa nieco poducim.