čaute, obraciam sa tu na Vás a dúfam, že mi pomožete. Ako by som najoptimálnejšie oddelit vzájone zeme? Schéme ma dve časti, Výkonovú, spínaný step down menič, a druhu s MCU, ktorá riadi výkonový blok.
Zeme by sa potom mali spojit v jednom bode. Ale potrebujem poradit čo na ktoru zem by malo byt pozapajane, teda, výkonová a číslicová zem to asi bude.
Druhá vec je, ako správne navrhnut LC filter na oddelenie napájania?myslím oddelenie napájania MCU od výkonovej časti. ake hodnoty sučiastok použit, ako ho vypočítat.
Ďakujem za pomoc.
Stepdown na malým napětí skoro neruší - neřešil bych.
Já PICem řídím 1kW zvyšující menič + sinusový střídač. Jedinný co bylo potřeba natáhat tak výkonovou zem samostatně a zam veškerého řízení samostatně a spojený to mám jen u vstupní mínusové svorkvnice. NA +5V napájecí větvi pro MCU a drivery mám nahozenou 5V6 zenerku na ořezání bordelu a nazdar.
EDIT: Z toho mála co je z té rozsypané malůvky poznat bych řekl, že ten MOSFET ve step-downu sepneš jen jednou. Pak se nebude mít boostrape kybl jak nabíjet.
Marek: Už je to lepší. Nicméně stále se ti nebude otvírat spínací mosfet - pokud to není nabíječka na 1 článek Li-pol třeba.
Mosfet Q2 se otvírá pomocí náboje v boostrape kondu - C12, terej má teda mimochodem malou kapacitu. Kond se ti nabije přes D1 pokud se source Q2 stáhne na zem. Toho se u toho stepdown měniče dosáhne jen když na výstupu nebudeš mít napětí - resp. nějak to bude chodit do 9V na výstupu - tím bude stále 6V pro sepnutí gate tranzistoru.
Doporučuju překopat stepdown na synchronní, tj. danyk.wz.cz/menice.html Obrázek G. JAko driver v pohodě stačí IR2113.
.