Keramický kondenzátor pro filtraci - důvod a jaká kapacita?

Dobrý den,
když se podívám do nějakého schématu, tak často například za transformátorem nebo stabilizátorem vidím elektrolytický kondenzátor a paralelně u něho i keramický kondenzátor. Význam elektrolytického kondenzátoru mi je jasný, kondenzátor díky své vysoké kapacitě zajistí, že zvlněné napětí bude méně zvlněné. Na co se tam ale dává keramický kondenzátor? Jeho kapacita v nF je nesrovnatelně menší než kapacita elektrolytického kondenzátoru v µF.

Je mi jasné, že nějaký důvod tam je. Prosím někoho o radu, jakou volit velikost respektive kapacitu tohoto keramického kondenzátoru. U filtračního elektrolytického kondenzátoru platí, že čím je větší, tím lépe. Samozřejmě v mezích tak, aby při prvotím nabíjení po připojení, kdy je chvilku ve zkratu, příliš nepřetěžoval svůj zdroj a aby nebylo jeho pouzdro příliš velké. Platí u keramického to samé, tedy čím více tím lépe? S jeho velikostí nebo přílišnou kapacitou si nemusím dělat starosti, takže mám zvolit největší vyráběnou velikost 1µF nebo raději nějaký menší - 220nF, 100nF atd.

Děkuji Vám,
Martin Dočekal

Podla mojich vedomostí sa tam dáva na vyhladenie nejakeho “sumu” a ani nie tak za stabilizator ale pred. Moze sa stat, ze budu vznikat male harmonicke kmity na vstupe ktore by rozkmitali aj stabilizator a casom by zhorel. Zhruba tak som to pochopil z vysvetlenia co mi bolo podane :smiley: Opravte ma prosim ak sa mylim, dakujem.

Zdar, mrkni na poslední 2 přízpěvky.
viewtopic.php?t=1774&postdays=0&postorder=asc&start=15

Ještě bych dodal, že ve skutečnosti by tam těch kondíků mělo být více.
Každé pouzdro totiž má vlastní indukčnost a od určité frekvence vliv té indukčnosti převáží nad kapacitou kondenzátoru. Indukčnost je tím menší, čím menší je pouzdro. Správně by tedy měly být použitá nejmenší možná smd pouzdra a alespoň 2 kapacity (např. 100n + 1n), protože každá bude mít jinou rezonanční frekvenci.
V praxi se to u pomalých jednočipů neřeší, dá se 100n a je to. Ovšem třeba u serdesu, kde je spínání v GHz, tam je to naprosto nezbytné.

Většinou jsem viděl před i za.

Přesně takovéto vysvětlení jsem hledal, děkuji. Co se týče kapacit, je teda lepší jít na větší - 1uF + 100nF nebo jak jsi psal na menší 100nF + 1nF?

Na kapacitě záleží rezonanční frekvence kondenzátoru. Čím rychlejší obvod, tím “širší” baterie by tam měla být. U velice rychlých mcu(x*100MHz) se už dává 1u-10u tantal + 100n + 1n. Na běžné pomalé procesory do 100MHz stačí těch 100n.
Mnoho mcu má několik napájecích pinů. Blokování(ty nF) musí být na všech.

Mnohokrát děkuji za vysvětlení, na DPS je míst dost, takže použiji dva keramické 100nF a 1nF.

Kdyz jste u blokovacich kondenzatoru. Snazim se navrhnout plosak s megou128 a nejak se mi tam nechteji rozumne smestnat. Kam to cpete u tech TQFP? Umel bych to pekne s prokovama pod procesorem, ale tohle je vicemene bastldeska s dratovyma propojkama.
U “normalnich DILu” blokovaci kondenzatory a smeti kolem resetu nacpu ze strany spoju mezi nozicky, ale ted mi dochazi invence :sunglasses: