Spínání 12V TTL logikou

Ahoj. To, že některé H-můstky mají identické N-mosfet tranzistory má malý zádhel. Napěťové úrovně vůči GND (source). Ty horní jsou napěťově výše než ty dolní. Ale pokud bys je (gate) držel odporem na GND (source) a optočlenem spínal (gate) vůči +6V nebo drainu, tak je to v pohodě. Jen musíš dodržet, jak píšou kluci výše, ošetření situace souběžného otevření jedné větve. A jak má nějaký slovenský kolega napsáno v záhlaví: součástky fungují na základě dýmu. Ak dým unikne, už nefungují … :slight_smile:
Dají se samozřejmě použít také budiče mosfetů, ale zase aby to nebylo moc složitý. U H-můstků s tranzistory s P a N kanály, stačí méně vývodů na řízení. Dělají se i P a N mosfety v jednom pouzdru, ale nevím, jak jsou na tom s minimálním napětím, při kterém ještě korektně fungují. Zkus hledat dual mosfet. V rychlosti třebas tento IR4426SPBF, ale spodní napětí je na hraně.