Spínání velkých indukčností

Ahoj,
téma už je asi mrtvé, nicméně jeden problém, jež naťuknul Mikop a elc, tam vidím. FET tranzistory mají SOA (safe operating area) a to je pravděpodobně překračováno tvrdým spínáním do C1+C2. Nejspíš pak nastane sekundární průraz některého FETu což vede k nevyhnutelné destrukci i toho druhého (cross-conduction).
Má-li sloužit C1-C2 || L1 jako rezonanční obvod, tento by měl být sériový (D1 a D2 musejí být dimenzované na proud tohoto rezonančního obvodu, do obvodu se pak započtou i vlastnosti zdroje) nebo paralelnímu přidat sériovou cívku.

Při přestavbě rezonančního obvodu je pak vhodné dodat RC(D) “snubbery”. Omezí dV/dt na drainech FETů a tím i vliv Millerovy kapacity, přenese to vypínací ztráty z FETů na odolnější odpor a pomůže s dodržením SOA.
Je to stejná technika jako u spínaných zdrojů (ikdyž tam to má ještě další funkci a zde je nízká spínací frekvence).
Transil zde nemá význam.

Inspiraci lze najít také u Danyka - indukční ohřev.

Ochrana kondenzátorů C1 a C2 paralelními diodami proti reverzní polarizaci by taky mohla být užitečná.

Mimochodem - existují drivery s adaptivním dead-time. Driver prostě vypne 1 FET a počká až se vypnutí dokončí (to uvidí na VS) a pak teprve zapne ten druhý. Ve spojení s rezonančním obvodem ovšem radši zůstat u klasiky a pevným dead-time nebo si to jako zde zařídit buzením.