Můžeš do proudové smyčky zařadit MOS FET a zapojit ho se společným sourcem (obdoba spol. emitoru). Na gate přivedeš konstantní napětí takové, aby teploměr měl co nejnižší napětí, při kterém je schopen provozu. MOS převezme větší čás ztrátového výkonu.
Přepočet je komplikovaný, nestačí jen tepelný odpor. Musel bys počítat s tepelnou kapacitou a emisivitou. Bude záležet, zda jej umístíš do černé nebo bílé krabičky.
U DS18S20 tento problém též existuje, jen se neprojevuje tak výrazně. Řešit to lze rychlým měření teploty a vypínáním teploměru na co nejdelší dobu. Tím se výrazně sníží střední tepelný výkon na čipu.