Spínání 12V TTL logikou

ahoj, díky všem, takže spínat přímo např. DB679A a diodu 1N4148, to vypadá jednoduše:)

Muzes tedy provest ten vypocet pro TIP121. U datasheetu chybi V/A charakteristiky, takze se moc toho odecist neda. Docela by me zajimalo jak se to dela v tomto pripade z tech tabulek… Hlavne jsem jeste neprisel na to, kdy se pohybujeme v saturaci a kdy mimo saturaci.
To martin. V tom textu je jasne napsano, ze se bere U(IC) coz je napeti na uC, coz je 5V. Maji to tedy v textu spatne? A taky rozdil 30k a 4k8 uz je docela velky… Takze jsem to stale nepochopil.

V textu napětí na přechodu BE zanedbávají. To lze v případech, kdy je napájení dostupné na výstupu spínajícího švába výrazně vyšší než ono napětí přechodu. 5V logika už je taková hranice a radši bych pro jednoduchost 1V odečetl než to pak nemít dostatečně otevřené, níže už to ale opravdu tanedbat nelze.
Vezmi si příklad, kdy máš napájení 3V3 a budeš chtít z CMOS svába táhnout proud. Při tomto nižším napětí už je schopen dodat menší proud a má vyšší ztrátu, tedy na na výstupu máš třeba 2.8V. Tady už je napětí Vbe významná část ovlivňující výpočet. Naopak u CMOS napájeného 15V je to bezvýznamné.

Ten rozdíl mezi martinovým a tvým výpočtem je právě v uvažovaném zesílení, které je při saturaci nižší. 30k je analogové zesílení mimo saturaci.
Saturaci uvažješ vždy, když něco spínáš (ve spojení s jednočipy je to prakticky vždy tento případ). Zesílení mimo saturaci tě zajímá v analogovém režimu, např. u zesilovače, jednoduchého proudového zdroje a podobně.
Téměř vždy však platí, že je třeba počítat s nejhorší variantou pro dané zapojení možnou. U spínání je nejhorší varianta malé zesílení.
Výpočet pro TIPa ještě dopíšu.

Edit:
Mám datasheet od MOSPEC a tam graf zesílení je. Ale ikdyby ne, použijem parametry z tabulek. Ty uvádějí minimální zesílení 1000 pro proud Ic = 0.5 i 3A (pro Vce=3V => mimo saturaci). Náš požadovaný proud Ic je mezi těmito mezemi, můžeme ono zeslení bez obav použít.
Jak jsem vysvětloval ve tvém tématu o tranzistorech, pro saturaci je vhodné považovat maximálně 1/2, ale spíš 1/4 minimálního zesílení z datasheetu(udávaného mimo saturaci), zde 1000. Do výpočtu tedy použijeme hfe=250.
Máme požadovaný prou Ic = 1A => Ib = Ic/hfe = 1/250 = 4mA.
Napětí Vbe je u darlingtonu nutné uvažovat jako 2 diody v sérii, automaticky dosazuješ 1.5V (u silných i o nějakou desetinu více, graf bývá v DS). Napájení IO je 5V, z jeho datasheetu se dozvíš, že výrobce zaručuje zhruba 4.5V.
Napětí na bázovém odporu je tedy 4.5-1.5 = 3V. Požadovaný proud Ib = 4mA. R = 3/0.004 = 750 Ohm a menší.

U BD679A , který si vybral radek je hfe = 750 => pro výpočet 190.
3/(1/190) = 570 Ohm a menší.

Nojoo. Tak ted uz je to jasny…

caute, jak je to myšleno - jak přesně by měla být ta dioda zapojena? thx

Verze s rele obrazek 1.
Samozrejme pouzit v tomto pripade TIP121 je zbytecne plytvani. Rele co jsi vybral nemuzes pouzit, protoze ta civka je na 24V a ty mas jenom 5 nebo 12. Vyber treba toto:
gme.cz/cz/relem4-05h-p634-030.html. Civka sebere 30 mA, tudiz ti staci nejaky maly tranzistor 0.1A a potom uz jenom spocitat odpovidajici Rb.
Teda tak bych to udelal ja.

Edit: Verze bez rele obrazek 2.
schema_4.jpg
schema_3.jpg

Dekuji. Jinak proc by neslo pouzit? to rele je na 5v nebo co nechapu?:slight_smile:

Ahoj
S rele beru zpet, kouknul jsem se na obrazek a tam je 24DC. Takze samozrejme to rele muzes pouzit. Akorat na GME maji divne oznaceni, ja z toho nevyctu, ktera verze z tech 3 co jsou v tabulce to je a kolik civkou tece mA pri 5V. Pro nejhorsi pripad tam je 100 mA, coz znamena ze by to chtelo jiny tranzistor nez ten na 100 mA, treba nejaky na 1A.

Edit: Tak jeste jednou z5, dle popisu GME ma rele 125 ohm 5V coz vychazi nejakych 40 mA spotreba.

jeste doplnim / tu ochrannou diodu chapu, ne tu dlasi na kontakty - nebo jde o totez? no ja lama, prosim o schovivavost, snazim se to vse pochopit. dik.

Tak pocitam ze verze s ochrannou diodu jako dle obrazku 1.
S RC clankem nevim.

Jeste jsem tam do te puvodni diskuze pridal zapojeni pouze s tranzistorem.
schema_3.jpg

diik. kdyz dam pro jistotu rb vetsi, tak se stane jen to, ze bzucak pripadne nebude bzucet ci mene hlasite, je to tak?

Pokud tam das Rb velky pro pripad s rele, tak se rele nesepne a bzucak nebude bzucet vubec.

Pokud tam das RB velke pro pripad bez rele, tak nevim, protoze neznam vlastnosti toho bzucaku a jak reaguje na to, kdyz tam tece mene mA nez ma… Hezky si to spocitej podle prikladu od pityy-ho, je to jednoduche

Lama jsem já, tu ochranu kontaktů relé jsem napsal správně jen na půl. RC článek by byl na kontaktech dobře (ono by bylo jedno jesli na kontaktech nebo paralelně se zátěží), ale dioda by musela bejt antiparalelně se zátěží, tedy s bzučákem (stejně jako se dává k cívce relé.

Pokud dáš odpor do báze větší než má být, může se stát, že tranzistor se úplně neotevře => nebude v saturaci a díky velkému ztrátovému výkonu ho tepelně usmažíš.

Dragon: odpor 10k až mezi rb a bázi.

Ja to vim, ten odpor slouzi k uplnemu zavreni tranzistoru, nejak mi to ujelo, uz je to opraveno

Ještě ta dioda u kontaktů je zbytečná - tam funkci neplní. Představ si kontakty jako tranzistor - taky není dioda u tranzistoru, ale u zátěže :wink:.
Tady by se jí mohlo dokonce podařit prorazit záporným napětím.

Tazatel ovšem stejně patrně použije přímé spínání, které je zde určitě dostatečné, jednodušší a levnější.

ot: pro jednoduchý obrázky s malou bitovou hloubkou a většími jednolitými plochami je lepší gif. Nerozmazává a mívá lepší kompresní poměr. Schémata jsou typickým příkladem.
Pro černobílé je ještě lepší tiff s kompresí fax4, ale to myslim nezobrazí prohlížeč.

Tak jo. Tohle je dalsi “posledni” verze…
Kterou verzi tedy budes pouzivat? Prime spinani relatka pomoci uC nemuzes provest protoze zatez je 40 mA , tzn ze musi pouzit tranzitor…
schema_3.gif

Myslel jsem přímé spínání zátěže tranzistorem bez relé.
Teď už je shchéma dobře.

Ty jsi použil dříve uložený jpg a přeuložil ho jako gif co? Jinak by to nemohlo vypadat takhle a bylo by to ještě menší :wink:.

Priste, az budu zase nekdy pozadan, tak…

to nakreslim v Eagle.

Tak jsem to predelal v Eaglu a myslim si ze puvodni dioda 1N4148 je prilis slaba pro ochranu mcu spinanim pouze tranzistorem, ma jenom 0.2A. Tak jsem zvolil jinou.

Edit: Zmenil jsem tedy diodu at ma v tom jasno, ale jako zdroj pouzivam GME, tam BY296 je v poctu 100 ks. Taky me to potom trklo, ze ji mam v suplikovych zasobach, ale v te chvili me to nedoslo.
schema1.gif

Možná by to přežila, záleželo by na indukčnosti zátěže. Tvoje dioda to ustojí baz problému. Jen jsem o ní ještě neslyšel, kdybys ji chtěl koupit v obchodě, možná bys neuspěl. Takovou 1N4007 mají všude :slight_smile:.