Mikop: Díky za vysvětlení C1 a C2.
Diody z gatů bych tam nedával vůbec, je to zbytečné, na 30 kW měničích mám jen odpor… Tranzistory by měly mít závěrné naopětí aspoň 200V.
Dal bych hlavně ty diody k těm napájecím zdrojům. Špice na cívce se aspoň přes diody rekuperují zpět do zdroje a nebudou tak namáhány tranzistory napěťově a budiče vlastně taky.
Až nyní jsem si všiml té frekvence: 5-10HZ, kterou jsi uvedl v prvním příspěvku. Je to správně? Protože ty spínací pulzy musí být hodně krátké a samozřejmě strmé. Při 50V a 5 ohmech zátěže cívky je to 500W a dovolím si tvrdit, že totální většina je v tepelném provedení. Ale pokud to tak opravdu je, tak ty C1 a C2 by měli být v sérii s cívkou jako stejnosměrné oddělení, a ne paralelně.
Ještě k paralelnímu spojení L a C. Jak jsem psal výše, při konkrétním kmitočtu dochází k rezonančnímu jevu - vysílač. Při kmitočtech nad cca 20kHz se i toto zapojení používá k např. indukčnímu ohřevu. Tam se dolaďuje kmitočet, protože magneticky vodivý materiál (nejen železo) vložený do cívky, rozlaďuje základní rezonanční kmitočet a klesá tím účinnost a většina energie se sice převede do tepla, ale jinde než je potřeba (součástky).
Ještě k té frekvenci. Pokud stále platí 5-10Hz, tak deadtime přece může být nastaven FW v procesoru, i třeba na jednotky či desítky ms. Předpokládám, že ta cívka třeba vtahuje nebo odtahuje táhlo s magnetem ???
Doufám, že nestavíš subwofer 
Zdravím,
ako napísal Atlan, zapojte driver tak ako má byť a bude všetko OK. Akosi okrem diód,ako písal Atlan som nepochopil ani funkciu C1 a C2. Vybitie tých kondov nabitých na 80 V Vám spôsobuje, že driver exploduje. Paralelne k indukčnosti zapojte transil, napr. tu: tme.eu/sk/katalog/#id_catego … 3A24623%3B. Vyberajte ten na 1,5 kW.
Ja som postavil už x polomostov s týmto IR a ani raz som nemal s ním problém. Prajem veľa úspechov.
Zdravím,
ako napísal Atlan, zapojte driver tak ako má byť a bude všetko OK. Akosi okrem diód,ako písal Atlan som nepochopil ani funkciu C1 a C2. Vybitie tých kondov nabitých na 80 V Vám spôsobuje, že driver exploduje. Paralelne k indukčnosti zapojte transil, napr. tu: tme.eu/sk/katalog/#id_catego … 3A24623%3B. Vyberajte ten na 1,5 kW.
Ja som postavil už x polomostov s týmto IR a ani raz som nemal s ním problém. Prajem veľa úspechov.
Ahoj,
téma už je asi mrtvé, nicméně jeden problém, jež naťuknul Mikop a elc, tam vidím. FET tranzistory mají SOA (safe operating area) a to je pravděpodobně překračováno tvrdým spínáním do C1+C2. Nejspíš pak nastane sekundární průraz některého FETu což vede k nevyhnutelné destrukci i toho druhého (cross-conduction).
Má-li sloužit C1-C2 || L1 jako rezonanční obvod, tento by měl být sériový (D1 a D2 musejí být dimenzované na proud tohoto rezonančního obvodu, do obvodu se pak započtou i vlastnosti zdroje) nebo paralelnímu přidat sériovou cívku.
Při přestavbě rezonančního obvodu je pak vhodné dodat RC(D) “snubbery”. Omezí dV/dt na drainech FETů a tím i vliv Millerovy kapacity, přenese to vypínací ztráty z FETů na odolnější odpor a pomůže s dodržením SOA.
Je to stejná technika jako u spínaných zdrojů (ikdyž tam to má ještě další funkci a zde je nízká spínací frekvence).
Transil zde nemá význam.
Inspiraci lze najít také u Danyka - indukční ohřev.
Ochrana kondenzátorů C1 a C2 paralelními diodami proti reverzní polarizaci by taky mohla být užitečná.
Mimochodem - existují drivery s adaptivním dead-time. Driver prostě vypne 1 FET a počká až se vypnutí dokončí (to uvidí na VS) a pak teprve zapne ten druhý. Ve spojení s rezonančním obvodem ovšem radši zůstat u klasiky a pevným dead-time nebo si to jako zde zařídit buzením.